半導體器件環境試驗半導體器件低氣壓試驗半導體器件穩態濕熱試驗
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半導體器件環境試驗
試驗項目 氣候環境試驗：低氣壓試驗、濕熱試驗、壽命試驗、高溫試驗、耐久性試驗、快速溫度變化試驗、鹽霧試驗、耐潮濕試驗、高溫工作壽命、溫度循環試驗、高壓蒸煮試驗 ，具有CMA，CNAS資質。
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半導體器件低氣壓試驗
試驗標準 GB/T4937.1-2006半導體器件機械和氣候試驗方法第1部分：總則 GB/T4937.2-2006半導體器件機械和氣候試驗方法第2部分：低氣壓 ，具有CMA，CNAS資質。
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半導體器件穩態濕熱試驗
試驗標準 GB/T4937.1-2006半導體器件機械和氣候試驗方法第1部分：總則 GB/T4937.4-2012半導體器件機械和氣候試驗方法第4部分：強加速穩，具有CMA，CNAS資質。
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半導體器件溫濕度貯存試驗
試驗標準 GB/T4937.1-2006半導體器件機械和氣候試驗方法第1部分：總則 GB/T4937.42半導體器件機械和氣候試驗方法第42部分：溫濕度貯存 I，具有CMA，CNAS資質。
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半導體器件密封試驗
試驗標準 GB/T4937.1-2006半導體器件機械和氣候試驗方法第1部分：總則 GB/T4937.8半導體器件機械和氣候試驗方法第8部分：密封 IEC607，具有CMA，CNAS資質。
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半導體器件機械沖擊試驗
試驗標準 GB/T4937.1-2006半導體器件機械和氣候試驗方法第1部分：總則 GB/T4937.10半導體器件機械和氣候試驗方法第10部分：機械沖擊 IE，具有CMA，CNAS資質。
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